Влияние отжига на электрические свойства структур (Bi + Sn)–Pb0.75Sn0.25Тe〈Sn〉 и (In + Ag + Au)–Pb0.75Sn0.25Тe〈Sn〉

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Выращены монокристаллы твердого раствора Pb0.75Sn0.25Тe со сверхстехиометрическим оловом до 1.0 ат. %, на их основе созданы структуры металл–полупроводник с применением эвтектик Bi + Sn и In + Ag + Au. Исследовано влияние отжига на их электрические свойства в интервале ∼77–300 К. Сделано предположение, что сверхстехиометрические атомы олова при малых содержаниях, заполняя вакансии в подрешетках Pb и Sn, уменьшают концентрацию носителей тока n, в результате чего растут удельные сопротивления кристалла ρ и контакта структур rk. При больших концентрациях олова образуются новые донорные центры в кристалле, растет n, что приводит к уменьшению ρ и rk.

Об авторах

Н. М. Ахундова

Азербайджанский государственный экономический университет

Email: tunzalaliyeva@mail.ru
Азербайджан, AZ 1001, Баку, ул. Истиглалият, 6

Т. Д. Алиева

Институт физики Национальной aкадемии наук Азербайджана

Автор, ответственный за переписку.
Email: tunzalaliyeva@mail.ru
Азербайджан, AZ 1143, Баку, пр. Г. Джавида, 131

Список литературы

  1. Дмитриев А.В., Звягин И.П. Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов // УФН. 2010. Т. 180. № 8. С. 821–838. https://doi.org/10.3367/UFNr.0180.201008b.0821
  2. Икоников А.В., Дудин В.С., Артамакин А.И., Акимов А.Н., Климов А.Э., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb0.74Sn0.26Te(In) с модифицируемой поверхностью // ФТП. 2020. Т. 54. Вып. 9. С. 896–901. Переводная версия: https://doi.org/10.1134/S106378262009013410.1134/S1063782620090134https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49828.20
  3. Охотин А.С., Ефимов А.А., Охотин В.С., Пушкарский А.С. Термоэлектрические генераторы. М.: Атомиздат, 1976. 320 с.
  4. Khokhlov D.R., Ivanchik I.I., Raines S.N., Watson D.M., Pipher J.L. Performance and Spectral Response of Pb1–xSnxTe(In) Far-Infrared Photodetectors // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76. № 20. P. 2835–2839. https://doi.org/10.1063/1.126489
  5. Вайнер А.Л. Каскадные термоэлектрические источники холода. М.: Сов. радио, 1976. 137 с.
  6. Штерн М.Ю., Караваев И.С., Рогачев М.С., Штерн Ю.И., Мустафаев Б.Р., Корчагин Е.П., Козлов А.О. Методики исследования электрического контактного сопротивления в структуре металлическая пленка—полупроводник // ФТП. 2022. Т. 56. Вып. 1. С. 31–37. https://doi.org/10.21883/FTP.2022.01.51808.24
  7. Стафеев В.И. Структура и свойства контактов CdxHg1–xTe-металл // ФТП. 2009. Т. 43. № 5. С. 636–639.
  8. Алиева Т.Д., Абдинов Д.Ш. Физико-химические и электрические явления на границе раздела кристаллов твердых растворов систем Bi2Te3–Sb2Te3, Bi2Te3–Bi2Se3 с контактными материалами // Неорган. материалы. 1997. Т. 33. № 4. С. 27–38.
  9. Бархалов Б.Ш., Ахундова Н.М., Абдинов Д.Ш. Исследование границы раздела твердых растворов Bi2Te3–Sb2Te3, Bi2Te3–Bi2Se3 и сплавов систем Bi2Te3–Sb2Te3, Bi2Te3–Bi2Se3 с контактными материалами // Неорган. материалы. 1990. Т. 26. № 7. С. 1427–1431.
  10. Штерн М.Ю., Козлов А.О., Штерн Ю.И., Рогачев М.С., Корчагин Е.П., Мустафаев Б.Р., Дедкова А.А. Получение и исследование омических контактов с высокой адгезией к термоэлементам // ФТП. 2021. Т. 55. Вып. 12. С. 1097–1104. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51689.01
  11. Алиева Т.Д., Абдинова Г.Д., Ахундова Н.М., Исмайлова Р.А., Абдинов Д.Ш. Физико-химические процессы на границе раздела некоторых полупроводниковых твердых растворов с контактными сплавами // ЖФХ. 2009. Т. 83. № 12. С. 2336–2339.
  12. Кайданов B.И., Равич Ю.И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI // УФН. 1985. Т. 145. № 1. С. 51–86. https://doi.org/10.3367/UFNr.0145.198501b.0051
  13. Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных полупроводниках на основе теллурида свинца // УФН. 2014. Т. 184. № 10. С. 1033–1044. https://doi.org/10.3367/UFNr.0184.201410b.1033
  14. Белоконь С.А., Верещагина Л.Н., Иванчик И.И., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Характер изменения свойств PbTe〈Ga〉 при изменении степени легирования // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 2. С. 264–269.
  15. Багиева Г.З., Мустафаев Н.Б., Абдинова Г.Д., Абдинов Д.Ш. Электрические свойства монокристаллов PbTe с избытком теллура // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 11. С. 1446–1449.
  16. Ахундова Н.М., Абдинова Г.Д. Перенос электрического заряда и теплоты в кристаллах SnTe c различными концентрациями вакансий в подрешетке олова // Изв. вузов. Физика. 2020. Т. 63. № 7. С. 120–124. https://doi.org/10.17223/00213411/63/7/120
  17. Багиева Г.З., Абдинова Г.Д., Мустафаев Н.Б., Абдинов Д.Ш. Теплопроводность сплавов олова с теллуридом олова // Неорган. материалы. 2020. Т. 56. № 7. С. 727–731. https://doi.org/10.31857/S0002337X20070027
  18. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука, 1968. 384 с.
  19. Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. M.: Наука, 1975. 195 с.
  20. Aliyeva T.D., Abdinova G.D., Akhundova N.M., Dafarova S.Z. Current flow mechanizm in contact (In–Ag–Au)–Pb1–xMnxTe // Trans. Nat. Acad. Sci. Az., Ser. Phys.-Math. Tech. Sci. Phys. Astron. 2011. V. 31. № 2. P. 126–130.
  21. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник / Под ред. Новоселовой А.В., Лазарева В.Б. М.: Наука, 1979. 339 с.
  22. Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. Мищенко К.П., Равдели А.А. Л.: Химия, 1967. 182 с.
  23. Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Механизм протекания тока в омических контактах металл-полупроводник // ФТП. 2007. Т. 41. Вып. 11. С. 1281–1309.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2.

Скачать (149KB)
Метаданные
3.

Скачать (293KB)
Метаданные
4.

Скачать (253KB)
Метаданные
5.

Скачать (211KB)
Метаданные

© Н.М. Ахундова, Т.Д. Алиева, 2023