Установка для исследования стойкости полупроводниковых приборов к воздействию электростатического разряда методом импульса линии передачи

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription or Fee Access

Abstract

Представлена экспериментальная установка для исследования стойкости полупроводниковых приборов к воздействию электростатического разряда методом импульса линии передачи. Данная установка позволяет измерять импульсные вольт-амперные характеристики полупроводниковых приборов и защитных элементов, а также проводить исследование стойкости микроэлектронных устройств к электростатическому разряду, в том числе и без их разрушения. Установка обеспечивает создание испытательных импульсов напряжения прямоугольной формы длительностью 100 нс, согласно стандарту IEC62615, и обеспечивает амплитуду импульса тока разряда до 10 А.

Full Text

Restricted Access

About the authors

В. В. Кузнецов

Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана

Author for correspondence.
Email: vadim.kuznetsov@bmstu.ru
Russian Federation, 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., 5, с. 1

B. B. Андреев

Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана

Email: vladimir_andreev@bmstu.ru
Russian Federation, 105005, Москва, 2-я Бауманская ул., 5, с. 1

References

  1. Семкин Н.Д., Воронов К.Е., Ильин А.Б., Пияков А.В., Шатров С.А., Плохотниченко П.Г. // ПТЭ. 2017. № 2. С. 110. https://doi.org/10.1134/S0020441217010274
  2. Абрамешин А.Е., Галухин И.А., Кечиев Л.Н., Кузнецов В.В., Назаров Р.В. // Технологии электромагнитной совместимости. 2012. № 3. С. 44.
  3. Voldman S.H. // 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology. Beijing, Chinea. 2008. P. 325. https://doi.org/10.1109/ICSICT.2008.4734537
  4. Ammer M., Esmark K., zur Nieden F., Rupp A., Cao Y., Sauter M., Maurer L. // 39th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD), Tucson, USA. 2017. P. 1. https://doi.org/10.23919/EOSESD.2017.8073438
  5. Наумов В.В., Гребенщиков О.А., Залесский В.Б. // ПТЭ. 2007. № 1. С. 164. eLIBRARY ID: 9465475
  6. Barth J.E., Verhaege K., Henry L.G., Richner J. // IEEE Transactions on Electronics Packaging Manufacturing. 2001. V. 24. P.99. https://doi.org/10.1109/6104.930960
  7. Ashton R.A. // Proceed. International Conference on Microelectronic Test Structures. Nara, Japan.1995. P. 127. https://doi.org/10.1109/ICMTS.1995.513959
  8. Вьюхин В.Н. // ПТЭ. 2020. № 1. С. 52. https://doi.org/10.1134/S0020441219060216
  9. Du F., Song S., Hou F., Song W., Chen L., Liu J., Liou J.J.// IEEE Electron Device Letters. 2019. V. 40. P. 1491. https://doi.org/10.1109/LED.2019.2926103
  10. Teh G.L., Chim W.K. // Proceedings of the 6th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits. Singapore. 1997. P. 156. https://doi.org/10.1109/IPFA.1997.638186
  11. Kuznetsov V. // IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. 2018. V. 60. P. 107. https://doi.org/10.1109/TEMC.2017.2700492
  12. Максимов И.В., Кузнецов В.В., Андреев В.В. // Технологии электромагнитной совместимости. 2017. № 4(63). С. 35.
  13. Andreev D.V., Maslovsky V.M., Andreev V.V., Stolyarov A.A. // Phys. Status Solidi A. 2022. V. 219. № 9. P. 2100400. https://doi.org/10.1002/pssa.202100400

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download
2. Fig. 1. Typical current-voltage characteristic of a thyristor-type protective element.

Download (63KB)
Indexing metadata
3. Fig. 2. Block diagram of the setup for studying the resistance of semiconductor devices to the effects of electrostatic discharge using the TLP method.

Download (121KB)
Indexing metadata
4. Fig. 3. Setup for studying the resistance of semiconductor devices to the effects of electrostatic discharge using the TLP method: 1 – a section of RG-316 cable with a length of L=10 m, 2 – connectors for connecting a high-voltage source, 3 – a contact device with an installed IC, 4 – a module on a printed circuit board, 5 – connectors for connecting an oscilloscope.

Download (281KB)
Indexing metadata
5. Fig. 4. Form of discharge current pulse and measurement window.

Download (74KB)
Indexing metadata
6. Fig. 5. Oscillogram of the voltage pulse at the voltage measurement output (channel 1) and at the current measurement output (channel 2).

Download (281KB)
Indexing metadata
7. Fig. 6. I-V characteristics of a protective element for an IC using 3 µm technology.

Download (95KB)
Indexing metadata
8. Fig. 7. I-V characteristics of a protective element for an IC using 0.6 µm technology.

Download (94KB)
Indexing metadata

Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences