MOLEKULYaRNO-LUChEVAYa EPITAKSIYa TVERDOGO RASTVORA GaPxAs1−x NA VITsINAL'NOY POVERKhNOSTI (001): KINETIChESKAYa MODEL' FORMIROVANIYa SOSTAVA V ANIONNOY PODREShETKE

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription or Fee Access

Abstract

Предложена кинетическая модель процесса формирования состава в анионной подрешетке твердого раствора GaPxAs1−x при молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001) с использованием потоков молекул As2 и P2. В основу модели положен двумерно-слоевой механизм роста, при котором террасы, имеющие реконструированную поверхность, последовательно достраиваются в областях роста, локализованных в изломах ступеней. Рассмотрены элементарные процессы массопереноса в областях роста, на поверхности террас, а также на их краях. Путем сравнения расчетных значений x с экспериментальными данными определены кинетические константы модели. Включение в рассмотрение обменных процессов в анионном слое на поверхности и краях террас вне областей роста позволило объяснить влияние температуры подложки, скорости роста и величины угла отклонения поверхности подложки от грани (001) на состав твердого раствора в подрешетке элементов пятой группы.

About the authors

M. A Putyato

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: e2a@isp.nsc.ru
630090, Новосибирск, Россия

E. A Emel'yanov

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: email@example.com
630090, Новосибирск, Россия

M. O Petrushkov

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: email@example.com
630090, Новосибирск, Россия

A. V Vasev

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: email@example.com
630090, Новосибирск, Россия

B. R Cemyagin

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: email@example.com
630090, Новосибирск, Россия

V. V Preobrazhenskiy

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: email@example.com
630090, Новосибирск, Россия

References

  1. S. Martini, A. A. Quivy, A. Tabata, and J.R.Leite, Vac. Sci. Techn. B 18, 1991 (2000), doi: 10.1116/1.1303851.
  2. R. K. Tsui, J. A. Curless, G. D. Kramer, and M.S.Peffley, Jpn. J. Appl. Phys. 58, 2570 (1985), doi: 10.1063/1.335884.
  3. Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, УФН 178, 459 (2008), doi: 10.3367/UFNr.0178.200805b.0459.
  4. K. Mochizuki and T. Nishinaga, Jpn. J. Appl. Phys.27, 1585 (1988), doi: 10.1143/JJAP.27.1585.
  5. J. R. Arthur, Surf. Sci. 43, 449 (1974), doi: 10.1116/1.1317818.
  6. C. T. Foxon and B. A. Joyce, Surf. Sci. 64, 293 (1977), doi: 10.1016/0039-6028(77)90273-4.
  7. K. Ploog, Ann. Rev. Mater. Sci. 11, 171 (1981), doi: 10.1146/annurev.ms.11.080181.001131.
  8. J. M. Van Hove, P. J. Cohen, and J. Vac. Sci. Technol.20, 726 (1982), doi: 10.1063/1.96017.
  9. C. E. C. Wood, C. R. Stanley, G. W. Wicks, and M. B. Esi, J.Appl. Phys. 54, 1868 (1983), doi: 10.1063/1.332239.
  10. Y. H. Wang, W. C. Liu, C. Y. Chang, and S.A.Liao, J. Vac. Sci. Technol. B 4(1), 30 (1986), doi: 10.1116/1.583319.
  11. T. Nomura, H. Ogasawara, M. Miyao, and M. Hagino,J. Crystal Growth 111, 61 (1991), doi: 10.1016/00220248(91)90947-4.
  12. S. Yu. Karpov and M. A. Maiorov, Surf. Sci. 393, 108 (1997), doi: 10.1016/S0039-6028(97)00563-3.
  13. E. S. Tok, J. H. Neave, F. E. Allegretti, J. Zhang,T.S.Jones, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 371, 277 (1997), doi: 10.1016/S0039-6028(96)01085-0.
  14. Yu. G. Galitsyn, S. P. Moshchenko, and A.S.Suranov, Phys. Low-Dim. Struct. 7/8, 81 (1998).
  15. Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б .Р. Семягин,Д.Ф.Феклин, В. В. Преображенский, ФТП 49, 163 (2015).
  16. R. Heckingbottom, G. J. Davies, and K. A. Prior, Surf. Sci. 132, 375 (1983), doi: 10.1016/00396028(83)90548-4.
  17. R. Heckingbottom, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 572 (1985), doi: 10.1116/1.583182.
  18. H. Seki and A. Koukitu, J. Cryst. Growth 78, 342 (1986), doi: 10.1016/0022-0248(86)90070-9.
  19. П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, ФТП 22, 1729 (1988).
  20. S. V. Ivanov, P. D. Altukhov, T. S. Argunova,A.A.Bakun, A. A. Budza, V. V. Chaldyshev, Yu.A.Kovalenko, P. S.Kop’ev, R. N. Kutt, B.Ya.Meltser, S. S. Ruvimov, S. V. Shaposhnikov, L. M. Sorokin, and V. M. Ustinov, Semicond. Sci. Technol. 8, 347 (1993), doi: 10.1088/02681242/8/3/008.
  21. А. Ю. Егоров, А. Р. Ковш, А. Е. Жуков, В.М.Устинов, П. С. Копьев, ФТФ 31, 1153 (1997), doi: 10.1134/1.1187033.
  22. В. В. Преображенский, В. П. Мигаль, Д. И. Лу-бышев, Поверхность. Физика, химия, механика 9, 156 (1989).
  23. В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семя-гин, ФТП 36, 897 (2002).
  24. Y. Tatsuoka, H. Kamimoto, T. Kitada, S.Shimomura, and S. Hiyamizu, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1549 (2000), doi: 10.1116/1.591424.
  25. C. T. Foxon, B. A. Joyce, and M. T. Norris,J.Gryst. Growth. 49, 132 (1980), doi: 10.1016/00220248(80)90073-1.
  26. B. W. Liang and C. W. Tu, J. Appl. Phys. 72, 2806 (1992), doi: 10.1063/1.351532.
  27. T. Shitara, D. D. Vvedensky, M. R. Wilby, J. Zhang,J. H. Neave, and B. A. Joyce, Phys. Rev. B 46, 6825 (1992), doi: 10.1103/physrevb.46.6825.

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences