PROTsESSY ELEKTRON-ELEKTRONNOGO RASSEYaNIYa V KVANTOVYKh YaMAKh V KVANTUYuShchEM MAGNITNOM POLE. II. RASSEYaNIE V SLUChAE DVUKhPODZON

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Рұқсат ақылы немесе тек жазылушылар үшін

Аннотация

Рассмотрены процессы электрон-электронного рассеяния с участием уровней Ландау двух подзон. Рассчитана матрица скоростей электрон-электронного рассеяния, содержащая все типы переходов между уровнями Ландау. Проведен анализ этой матрицы и установлена относительная величина скоростей переходов различного типа. Установлено влияние на процессы электрон-электронного рассеяния изменения ориентации квантующего магнитного поля.

Авторлар туралы

M. Telenkov

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук

Email: telenkovmp@lebedev.ru
Москва, Россия

Yu. Mityagin

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук

Москва, Россия

Әдебиет тізімі

  1. Yu. A. Mityagin, M. P. Telenkov, I .A. Bulygina et al., Physica E 142, 115288 (2022)
  2. M. P. Telenkov, Yu. A. Mityagin, and P. F. Kartsev, Nanoscale Res. Lett. 7, 491 (2012)

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML

© Russian Academy of Sciences, 2025