PROTsESSY ELEKTRON-ELEKTRONNOGO RASSEYaNIYa V KVANTOVYKh YaMAKh V KVANTUYuShchEM MAGNITNOM POLE. II. RASSEYaNIE V SLUChAE DVUKhPODZON
- Authors: Telenkov M.P1, Mityagin Y.A1
-
Affiliations:
- Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук
- Issue: Vol 168, No 4 (2025)
- Pages: 537-553
- Section: ELECTRONIC PROPERTIES OF SOLIDS
- URL: https://ruspoj.com/0044-4510/article/view/692062
- DOI: https://doi.org/10.7868/S3034641X25100105
- ID: 692062
Cite item
Abstract
Рассмотрены процессы электрон-электронного рассеяния с участием уровней Ландау двух подзон. Рассчитана матрица скоростей электрон-электронного рассеяния, содержащая все типы переходов между уровнями Ландау. Проведен анализ этой матрицы и установлена относительная величина скоростей переходов различного типа. Установлено влияние на процессы электрон-электронного рассеяния изменения ориентации квантующего магнитного поля.
About the authors
M. P Telenkov
Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук
Email: telenkovmp@lebedev.ru
Москва, Россия
Yu. A Mityagin
Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наукМосква, Россия
References
- Yu. A. Mityagin, M. P. Telenkov, I .A. Bulygina et al., Physica E 142, 115288 (2022)
- M. P. Telenkov, Yu. A. Mityagin, and P. F. Kartsev, Nanoscale Res. Lett. 7, 491 (2012)
Supplementary files
