Моделирование электронных свойств, энтальпия образования и диэлектрические характеристики Yb-легированного монокристалла TlInS2

Cover Page

Cite item

Full Text

Open Access Open Access
Restricted Access Access granted
Restricted Access Subscription or Fee Access

Abstract

На геометрически оптимизированных суперъячейках T1InS2 и T1InS2< Yb > с использованием теории функционала плотности (DFT) рассчитаны электронные свойства образцов. Рассчитана также энтальпия образования T1InS2. Установлено, что T1InS2 имеет слоистую моноклинную сингонию с пространственной группой C2/c–C2h6 . В образцах изучена частотная дисперсия тангенса угла ди­электрических потерь (tgδ), действительной (ε′) и мнимой (ε″) составляющих комплексной диэлектрической проницаемости и проводимости в переменных электрических полях (ac-проводимость – σac) поперек слоев в области частот f = 5 × 104–3.5 × 107 Гц. В диапазоне частот f = 5 × 104–2.4 ×107 Гц ac-проводимость монокристалла T1InS2 < 1 ат% Yb > подчинялась закономерности σac ∼ f 0.8, характерной для прыжковой проводимости носителей заряда по состояниям, лежащим в окрестности уровня Ферми. Оценены плотность и энергетический разброс состояний вблизи уровня Ферми, среднее время и расстояние прыжков, концентрация ловушек, ответственных за проводимость T1InS2 < 1 ат% Yb > на переменном токе.

About the authors

С. М. Асадов

Научно-исследовательский институт «Геотехнологические проблемы нефти, газа и химии (НИИ ГПНГХ АГУНП)»; Институт катализа и неорганической химии

Author for correspondence.
Email: mirasadov@gmail.com
Azerbaijan, Баку; Баку

С. Н. Мустафаева

Институт физики

Email: mirasadov@gmail.com
Azerbaijan, Баку

С. С. Гусейнова

Институт физики

Email: mirasadov@gmail.com
Azerbaijan, Баку

В. Ф. Лукичев

Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН

Email: mirasadov@gmail.com
Russian Federation, Москва

References

  1. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Ismailov A.A. // Phys. Solid State. 2009. V. 51. No 11. P. 2269. https://doi.org/10.1134/S1063783409110122]
  2. Allakhverdiev K.R., Akhmed-zade N.D., Mamedov T.G. et al. // Low Temp. Phys. 2000. V. 26. No 1. P. 56. https://doi.org/10.1063/1.593863
  3. Allakhverdiev K.R., Mammadov T.G., Suleymanov R.A. et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. V. 15. P. 1291. https://doi.org/10.1088/0953-8984/15/8/313
  4. Qasrawi A.F., Gasanly N.M. // J. Mater. Sci. 2006. V. 41. P. 3569. https://doi.org/10.1007/s10853-005-5618-0
  5. Henkel W., Hochheimer H.D., Carlone C. et al. // Phys. Rev. B. 1982. V. 26. P. 3211. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.26.3211
  6. Hahn H., Wellman B. // Naturwis. 1967. V. 54. No 2. P. 42. https://doi.org/10.1007/bf00680166
  7. Мустафаева С.Н., Асадов M.M., Гусейнова С.C. и др. // ФТТ. 2022. T. 64. № 6. C. 628. https://doi.org/10.21883/FTT.2022.06.52388.299.
  8. Shklovskii B.I., Efros A.L. Electronic Properties of Doped Semiconductors. Springer, Berlin, Heidelberg. 1984. 393 p. ISBN: 978-3-662-02403-4
  9. Asadov M.M., Mustafaeva S.N., Guseinova S.S. et al. // Phys. Solid State. 2021. V. 63. No 5. P. 797. https://doi.org/10.1134/S1063783421050036]
  10. Perdew J.P., Burke K., Ernzerhof M. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. No 18. P. 3865. https://doi.org/10.1103/physrevlett.77.3865
  11. Monkhorst H.J., Pack J.D. // Phys. Rev. B. 1976. V. 13. No 12. P. 5188. https://doi.org/10.1103/physrevb.13.5188
  12. Асадов М.М., Мустафаева С.Н., Гусейнова С.С., Лукичев В.Ф. // Микроэлектроника. 2023. T. 52. № 1. C. 46. https://doi.org/10.31857/S0544126922700181, EDN: CXXQYI
  13. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Gasanov N.Z. // Inorg. Mater. 2013. V. 49. No 12. P. 1175. https://doi.org/10.1134/S0020168518070099
  14. Mustafaeva S.N., Asadov M.M., Guseinova S.S. et al. // Phys. Solid State. 2022. V. 64. No 4. P. 428. https://doi.org/10.21883/FTT.2022.04.52182.251
  15. Kashida S., Kobayashi Y. // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. V. 11, No 4. P. 1027. https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/4/010
  16. https://materialsproject.org/materials/mp-865274 #thermodynamic_stability
  17. Semiconductors. Data Handbook, Ed. by O. Madelung. Springer, Berlin, 3rd ed. 2004. ISBN 978-3-642-62332-5
  18. Johnson K.A., Ashcroft N.W. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 15548. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.58.15548
  19. Mott N.F., Davis E.A. Electronic Processes in NonCrystalline Materials, 2nd ed. Oxford Univ. Press. New York. 2012. 590 p. ISBN 978-0-19-964533-6
  20. Pollak M. // Philos. Mag. 1971. V. 23. P. 519. http://dx.doi.org/10.1080/14786437108216402
  21. Asadov S.M. // Russ. J. Phys. Chem. A. 2022. V. 96. No. 2. P. 259. http://dx.doi.org/10.1134/S0036024422020029

Supplementary files

Supplementary Files
Action
1. JATS XML
Download

Copyright (c) 2024 Russian Academy of Sciences