Email this article Ионно-лучевой синтез скрытого свинцово-силикатного слоя в монокристаллическом кремнии
- Authors: Бучин Э.1, Денисенко Ю.1
-
Affiliations:
- Ярославский филиал физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН
- Issue: Vol 49, No 5 (2023)
- Pages: 567-570
- Section: КРАТКОЕ СООБЩЕНИЕ
- URL: https://ruspoj.com/0132-6651/article/view/663367
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0132665122600674
- EDN: https://elibrary.ru/EESTYB
- ID: 663367
Cite item
Open Access
Access granted
Subscription Access
Abstract
Рассмотрены особенности формирования скрытого свинцово-силикатного изолирующего слоя в кремниевых подложках. Для этого в них последовательно имплантировались ионы молекулярного кислорода и свинца в атомарном соотношении 75 : 1, затем производились отжиги при температуре 1150°C в среде сухого кислорода. Распределение имплантированных ионов в экспериментальных образцах регистрировалось методом вторичной ионной масс-спектрометрии. Показано, что скрытый изолятор формируется в процессе спинодального распада твердого раствора SiOx–PbOx в виде трехслойной структуры. Средняя ее часть представляет собой диоксид кремния, легированный ионами свинца, боковые части состоят из свинцово-силикатной фазы. Для анализа профиля распределения свинца предложена модель релаксационной диффузии.
About the authors
Э. Бучин
Ярославский филиал физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН
Author for correspondence.
Email: imi.buchin@rambler.ru
Россия, 150007, Ярославль, Университетская, 21
Ю. Денисенко
Ярославский филиал физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН
Email: imi.buchin@rambler.ru
Россия, 150007, Ярославль, Университетская, 21
References
- Steve Krause, Maria Anc, Peter Roitman. Evolution and Future Trends of SIMOX Material // MRS Bulletin. 1998. V. 23. № 12. P. 25–29.
- Parfenov N.M. Analysis of the technological characteristics in fabricating SOI MEMS trandsducers // Russ. Microelectron. 45. 223–227 (2016).
- Jeff Chiles, Sasan Fathpour. Silicon photonics beyond silicon-on-insulator // J. of Optics. 2017. V. 19. № 5. 5 053 001.
- Денисенко Ю.И., Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Паршин Е.О. Способ ионного синтеза в кремнии захороненного слоя изолятора. Патент РФ № 2235388. 27.11.2002.
- Krivelevich S.A., Buchin Ed.Yu., Denisenko Yu.I., Selyukov R.V. Micro- and Nanoelectronics 2005 / Ed. by Kamil A. Valiev, Alexander A. Orlikovsky // Zvenigorod, Russia. Proc. SPIE. 2006. V. 6260. 626007. 8 p.
- Бучин Э.Ю., Денисенко Ю.И. Ионный синтез структур “кремний на изоляторе” со свинцово-силикатным изолирующим слоем // ПЖТФ. 2021. Т. 47. № 14. С. 47–50.
- Mythili N., Arulmozhi K.T., Fareed S.S. A comparative study: On the properties of PbO–SiO2 glass systems synthesized via different routes // Optik. 2016. V. 127. № 22. P. 10817–10824.
- Скрипов В.П., Скрипов А.В. Спинодальный распад (Фазовый переход с участием неустойчивых состояний) // УФН. 1979. Т. 128. Вып. 2. С.193–231.
- Антонов Н.М., Гусаров В.В., Попов И.Ю. Модель спинодального распада фаз в условиях гиперболической диффузии // ФТТ. 1999. Т. 41. № 5. С. 907–909.
- Разумов И.К. Спинодальный распад сплава с сильной концентрационной зависимостью коэффициента взаимной диффузии // ФТТ. 2022. Т. 64. № 1. С. 19–24.
