Получение и электронный транспорт в тонких пленках иридата стронция

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты исследования эпитаксиальных тонких пленок SrIrO3, приведены данные по технологии роста, кристаллической структуре и электронному транспорту. В пленках SrIrO3, напыленных в смеси газов Ar и O2, зависимость сопротивления от температуры имеет металлический характер. Пленки, полученные в чистом аргоне, могут иметь как металлический, так и диэлектрический ход зависимости сопротивления от температуры при разных условиях напыления по давлению и температуре. Для диэлектрических образцов рассчитана энергия активации и проведено сравнение с энергией активации для пленок Sr2IrO4.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

И. Е. Москаль

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”

Автор, ответственный за переписку.
Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва; Долгопрудный

А. М. Петржик

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”

Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва

Ю. В. Кислинский

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”

Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва

А. В. Шадрин

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)”

Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва; Долгопрудный

Г. А. Овсянников

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук”

Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва

Н. В. Дубицкий

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “МИРЭА – Российский технологический университет”

Email: ivan.moscal@yandex.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Petrzhik A.M., Constantinian K.Y., Ovsyannikov G.A. et al. // Phys. Rev. B. 2019. V. 100. Art. No. 024501.
  2. Petrzhik A.M., Constantinian K.Y., Ovsyannikov G.A. et al. // J. Surf. Invest. X-Ray Synchrotron Neutron Techn. 2020. V. 14. No. 3. P. 547.
  3. Ovsyannikov G.A., Constantinian K.Y., Shmakov V.A. et al. // Phys. Rev. B. 2023. V. 107. Art. No. 144419.
  4. Kazunori Nishio, Harold Y. Hwang // APL Materials. 2016. V. 4. Art. No. 036102.
  5. Gutierrez-Llorente A., Iglesias L., Rodr’iguez-Gonz’alez B., Rivadulla F. // APL Materials. 2018. V. 6. Art. No. 091101.
  6. Fuentes V., Vasic B., Konstantinovic Z. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2020. V. 501. Art. No. 166419.
  7. Петржик А.М., Cristiani G., Логвенов Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2017. Т. 43. № 12. С. 25; Petrzhik A.M., Cristiani G., Logvenov G. et al. // Tech. Phys. Lett. 2017. V. 43. No. 6. P. 554.
  8. Biswas A., Jeong Y.H. // Current Appl. Phys. 2017. V. 17. P. 605.
  9. Кислинский Ю.В., Овсянников Г.А., Петржик А.М. и др. // ФТТ. 2015. Т. 57. № 12. С. 2446; Kislinskii Yu.V., Ovsyannikov G.A., Petrzhik A.M. et al. // Phys. Solid State. 2015. V. 57. No. 12. P. 2519.
  10. Gao G., Schlottmann P. // Rep. Prog. Phys. 2018. V. 81. Art. No. 042502.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Слева: участок рентгеновской дифрактограммы, на котором хорошо видно существенное различие в c-параметрах полученных образцов и наличие или отсутствие рефлекса от поликристаллического Ir. Справа: определенный из дифрактограмм с-параметр иридата стронция в зависимости от угла 2Ɵ. Круг – образец SO2, квадрат – SO1, звезда – N1, треугольник – N2.

Скачать (187KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Сравнение зависимостей сопротивления от температуры образцов с металлическим ходом кривой, сопротивление которых составляет порядка 100–150 Ом, и диэлектрического образца, сопротивление которого увеличивается до 8 МОм с уменьшением температуры до 77 К.

Скачать (103KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Сравнение энергии активации от температуры для образца SO2 с диэлектрическим ходом сопротивления с диэлектрической пленкой Sr2IrO4.

Скачать (124KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024