Effects of quantum recoil forces in resistive switching in memristors

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Только для подписчиков

Lomonosov Moscow State University

Автор, ответственный за переписку.
Email: letters@kapitza.ras.ru

L. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory 18, 507 (1971).
D. Ielmini and H.-S. P. Wong, IEEE Nanotechnol. Mag. 1, 333 (2018).
Z. Wang, H. Wu, G. W. Burr, C. S. Hwang, K. L. Wang, Q. Xia, and J. J. Yang, Nat. Rev. Mater. 5, 173 (2020).
R. Landauer, IBM J. Res. Dev. 1, 223 (1957).
W. Xue, S. Gao, J. Shang, X. Yi, G. Liu, and R. Li, Adv. Electron. Mater. 5, 1800854 (2019).
A. A. Minnekhanov, B. S. Shvetsov, M. M. Martyshov, K. E. Nikiruy, E. V. Kukueva, M. Yu. Presnyakov, P. A. Forsh, V. V. Rylkov, V. V. Erokhin, V. A. Demin, and A. V. Emelyanov, Org. Electron. 74, 89 (2019).
D. Dundas, E. J. McEniry, and T. N. Todorov, Nat. Nanotechnol. 4, 99 (2009).
O. G. Kharlanov, B. S. Shvetsov, V. V. Rylkov, and A. A. Minnekhanov, Phys. Rev. Applied 17, 054035 (2022).
V.-N. Do, Adv. Nat. Sci: Nanosci. Nanotechnol. 5, 033001 (2014).
R. E. Peierls, Quantum Theory of Solids, Oxford University Press, London (1955).
H. W. Sheng, M. J. Kramer, A. Cadien, T. Fujita, and M. W. Chen, Phys. Rev. B 83, 134118 (2011).

Доп. файлы

Действие

1. JATS XML