Температурная зависимость запрещенной зоны полностью фторированных/гидрированных углеродных нанотрубок: роль одномерных цепочек
- Авторы: Катков В.Л.1, Осипов В.А.1
-
Учреждения:
- Объединенный институт ядерных исследований
- Выпуск: Том 118, № 9-10 (11) (2023)
- Страницы: 748-753
- Раздел: Статьи
- URL: https://ruspoj.com/0370-274X/article/view/664238
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567823220081
- EDN: https://elibrary.ru/PIXLDD
- ID: 664238
Цитировать
Аннотация
Теоретически исследована температурная зависимость величины запрещенной зоны Eg(T ) в одностенных углеродных нанотрубках типа “зигзаг” при максимальном (50-процентном) фторировании и гидрировании для трех вариантов покрытия. Показано, что характер покрытия критически влияет на зависимость Eg(T ), которая может меняться в широких пределах от очень слабой, характерной для чистых углеродных нанотрубок, до сильной, типичной для объемных полупроводников. Характер температурного поведения Eg (T ) напрямую связан с формированием в трубках одномерных альтернированных цепочек. Основными факторами, определяющими данную зависимость, являются диаметр углеродных нанотрубок, способ расположения примеси и ее тип.
Об авторах
В. Л. Катков
Объединенный институт ядерных исследований
Email: katkov@theor.jinr.ru
141980, г. Дубна, Московская область, Россия
В. А. Осипов
Объединенный институт ядерных исследований
Автор, ответственный за переписку.
Email: osipov@theor.jinr.ru
141980, г. Дубна, Московская область, Россия
Список литературы
- L. Qian, Y. Xie, S. Zhang, and J. Zhang, Matter 3, 664 (2020).
- R. D. Yamaletdinov, V. L. Katkov, Y. A. Nikiforov, A. V. Okotrub, and V. A. Osipov, Advanced Theory and Simulations 3(4), 1900199 (2020).
- L. A. Chernozatonskii, P. B. Sorokin, and A. A. Artukh, Russ. Chem. Rev. 83, 251 (2014).
- J. E. Johns and M. C. Hersam, Acc. Chem. Res. 46(1), 77 (2013); PMID: 23030800.
- R. B. Capaz, C. D. Spataru, P. Tangney, M. L. Cohen, and S. G. Louie, Phys. Rev. Lett. 94, 036801 (2005).
- E. T. Mickelson, I. W. Chiang, J. L. Zimmerman, P. J. Boul, J. Lozano, J. Liu, R. E. Smalley, R. H. Hauge, and J. L. Margrave, J. Phys. Chem. B 103(21), 4318 (1999).
- G. Seifert, T. K¨ohler, and T. Frauenheim, Appl. Phys. Lett. 77, 1313 (2000).
- K. N. Kudin, H. F. Bettinger, and G. E. Scuseria, Phys. Rev. B 63, 045413 (2001).
- C. W. Bauschlicher, Nano Lett. 1(5), 223 (2001).
- M. de Avila Ribas, A. K. Singh, P. B. Sorokin, and B. I. Yakobson, Nano Res. 4, 143 (2010).
- S. Ponc'e, G. Antonius, Y. Gillet, P. Boulanger, J. La amme Janssen, A. Marini, M. Cˆot'e, and X. Gonze, Phys. Rev. B 90, 214304 (2014).
- J.-M. Lihm and C.-H. Park, Phys. Rev. B 101, 121102 (2020).
- M. Zacharias and F. Giustino, Phys. Rev. B 94, 075125 (2016).
- M. Zacharias and F. Giustino, Phys. Rev. Res. 2, 013357 (2020).
- M. Zacharias and P. C. Kelires, J. Phys. Chem. Lett. 12, 9940 (2021).
- F. Karsai, M. Engel, E. Flage-Larsen, and G. Kresse, New J. Phys. 20, 123008 (2018).
- Y. Zhang, Z. Wang, J. Xi, and J. Yang, J. Phys. Condens. Matter 32, 475503 (2020).
- H. Shang and J. Yang, J. Chem. Phys. 158, 130901 (2023).
- B. Monserrat, Phys. Rev. B 93, 014302 (2016).
- B. Hourahine, B. Aradi, V. Blum et al. (Collaboration), J. Chem. Phys. 152, 124101 (2020).
- S. Grimme, C. Bannwarth, and P. Shushkov, J. Chem. Theory Comput. 13, 1989 (2017).
- O. Dubay and G. Kresse, Phys. Rev. B 67, 035401 (2003).
- A. Croy, E. Unsal, R. Biele, and A. Pecchia, J.Comput. Electron. 22, 1231 (2023).
Дополнительные файлы
