Трехмерное моделирование электронного обмена атомной частицы с содержащей дефекты поверхностью
- Авторы: Климов Н.Е.1, Гайнуллин И.К.1
- 
							Учреждения: 
							- Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
 
- Выпуск: № 1 (2023)
- Страницы: 80-85
- Раздел: Статьи
- URL: https://ruspoj.com/1028-0960/article/view/664629
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096023010120
- EDN: https://elibrary.ru/BLGDKP
- ID: 664629
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Изучен электронный обмен атомной частицы (заряженного иона или нейтрального атома) с металлической поверхностью, содержащей дефект в виде атомной ступени. Инструментом исследования является трехмерное компьютерное моделирование. Рассмотрена модельная статическая задача, когда частица закреплена над поверхностью. Получены расчетные данные о зависимости основных параметров перезарядки – энергетического положения и ширины уровня частицы (определяет эффективность электронного обмена) – от расстояния до поверхности и латерального положения частицы.
Об авторах
Н. Е. Климов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
														Email: ivan.gainullin@physics.msu.ru
				                					                																			                												                								Россия, 119992, Москва						
И. К. Гайнуллин
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: ivan.gainullin@physics.msu.ru
				                					                																			                												                								Россия, 119992, Москва						
Список литературы
- Martynenko Yu.V. // Sov. Phys. Solid State. 1964. V. 3529. P. 2003.
- Yurasova V.E., Chernysh V.S., Kuvakin M.V., Shelyakin L.B. // JETP Lett. 1975. V. 21. № 3. P. 79.
- Los J., Geerlings J.J.C. // Phys. Rep. 1990. V. 190. P. 133.
- Karaseov P.A., Karabeshkin K.V., Titov A.I., Shilov V.B., Ermolaeva G.M., Maslov V.G., Orlova A.O. // Semiconductors. 2014. V. 48. № 4. P. 446.
- Andrianova N.N., Borisov A.M., Mashkova E.S., Shulga V.I. // J. Clinical Invest. 2016. V. 10. P. 412.
- Zykova E.Y., Khaidarov A.A., Ivanenko I.P., Gainullin I.K. // J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech. 2012. V. 6. P. 877.
- Gainullin I.K. // Surf. Sci. 2019. V. 681. P. 158.
- Gainullin I.K. // Physics-Uspekhi. 2020. V. 63. № 9.
- Gainullin I.K. // Surf. Sci. 2018. V. 677. P. 324.
- Usman E.Yu., Urazgil’din I.F., Borisov A.G., Gauyacq J.P. // Phys. Rev. B. 2001. V. 64. P. 205405.
- Amanbaev E.R., Shestakov D.K., Gainullin I.K. // J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech. 2009. V. 3. P. 865.
- Gainullin I.K. // Phys. Rev. A. 2019. V. 100. P. 032712.
- Gainullin I.K. // Moscow University Phys. Bull. 2019. V. 74. P. 585.
- Obreshkov B., Thumm U. // Phys. Rev. A. 2013. V. 87.
- Winter H. // Phys. Rep. 2002. V. 367. P. 387.
- Cohen J.S., Fiorentini G. // Phys. Rev. A. 1986. V. 33. P. 1590.
- Ermoshin V.A., Kazansky A.K. // Phys. Lett. A. 1996. V. 218. P. 99.
- Gainullin I.K. // Comp. Phys. Commun. 2017. V. 210. P. 72.
- Gainullin I.K., Sonkin M.A. // Comp. Phys. Commun. 2015. V. 188. P. 68.
- Gainullin I.K. // Phys. Rev. A. 2017. V. 95. P. 052705.
- Gainullin I.K., Sonkin M.A. // Phys. Rev. A. 2015. V. 92. P. 022710.
- Jennings P.J., Jones R. O., Weinert M. // Phys. Rev. B. 1988. V. 37. P. 6113.
- Gainullin I.K., Urazgildin I.F. // Phys. Rev. B. 2006. V. 74. P. 205403.
- Amanbaev E.R., Gainullin I.K., Zykova E.Yu., Urazgildin I.F. // Thin Solid Films. 2011. V. 519. P. 4737.
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 







