Полиметилметакрилат с молекулярной массой 107 г/моль для рентгеновской литографии
- Авторы: Назьмов В.П.1,2, Варанд А.В.1, Михайленко М.А.2, Гольденберг Б.Г.1,3, Просанов И.Ю.2, Герасимов К.Б.2
- 
							Учреждения: 
							- Институт ядерной физики им Г.И. Будкера СО РАН
- Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН
- Центр коллективного пользования “СКИФ”, Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН
 
- Выпуск: № 6 (2023)
- Страницы: 27-31
- Раздел: Статьи
- URL: https://ruspoj.com/1028-0960/article/view/664547
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096023060110
- EDN: https://elibrary.ru/DKCOQS
- ID: 664547
Цитировать
Полный текст
 Открытый доступ
		                                Открытый доступ Доступ предоставлен
						Доступ предоставлен Доступ платный или только для подписчиков
		                                							Доступ платный или только для подписчиков
		                                					Аннотация
Представлены результаты исследования синдиотактического полиметилметакрилата с молекулярной массой 107 г/моль, синтезированного методом ионной полимеризации с радиационным инициированием. Изменение химической структуры полимерного материала анализировали методом ИК-спектроскопии, дифференциального термического анализа, гель-проникающей хроматографии. При термическом разложении исходного полимера процесс потери массы можно разделить на три этапа: низкотемпературный, среднетемпературный и высокотемпературный. Исчезает ярко выраженный тепловой эффект плавления полимера даже после воздействия минимальных доз ионизирующего излучения. Обнаружено сравнительно быстрое снижение молекулярной массы под действием рентгеновского излучения в диапазоне доз до 100 Дж/см3 и разброс размеров молекул. Полидисперсность при малых дозах приблизительно в 3.5 раза выше, чем при дозах порядка 10 кДж/см3. Достигнута скорость проявления изображения, примерно в пять раз большая, чем в случае полимера с молекулярной массой 106 г/моль в стандартных условиях. Контраст составил величину 3.4. С помощью синхротронного излучения рентгеновского диапазона на источнике ВЭПП-3 осуществлено микроструктурирование методом рентгеновской литографии. Получены микроструктуры высотой до 5 мкм и диаметром около 2 мкм.
Об авторах
В. П. Назьмов
Институт ядерной физики им Г.И. Будкера СО РАН; Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: V.P.Nazmov@inp.nsk.su
				                					                																			                												                								Россия, 630090, Новосибирск; Россия, 630090, Новосибирск						
А. В. Варанд
Институт ядерной физики им Г.И. Будкера СО РАН
														Email: mikhailenkoma79@gmail.com
				                					                																			                												                								Россия, 630090, Новосибирск						
М. А. Михайленко
Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН
							Автор, ответственный за переписку.
							Email: mikhailenkoma79@gmail.com
				                					                																			                												                								Россия, 630090, Новосибирск						
Б. Г. Гольденберг
Институт ядерной физики им Г.И. Будкера СО РАН; Центр коллективного пользования “СКИФ”, Институт катализаим. Г.К. Борескова СО РАН
														Email: mikhailenkoma79@gmail.com
				                					                																			                												                								Россия, 630090, Новосибирск; Россия, 630559, Новосибирск						
И. Ю. Просанов
Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН
														Email: mikhailenkoma79@gmail.com
				                					                																			                												                								Россия, 630090, Новосибирск						
К. Б. Герасимов
Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН
														Email: mikhailenkoma79@gmail.com
				                					                																			                												                								Россия, 630090, Новосибирск						
Список литературы
- Haller I., Hatzakis M., Srinivasan R. // IBM J. Res. Devel. 1968. V. 12. P. 251. https://doi.org/10.1147/rd.123.0251
- Spears D.L., Smith H.I. // Electron. Lett. 1972. V. 8. P. 102. https://doi.org/10.1049/el:19720074
- Vladimirsky Y., Vladimirsky O., Morris K.J., M. Klopf J., Calderon G.M., Saile V. // Microelectron. Eng. 1996. V. 30. № 1–4. P. 543. https://doi.org/10.1016/0167-9317(95)00305-3
- Greeneich J.S. // J. Electrochem. Soc. 1975. V. 122. P. 970.
- Charlesby A. Atomic Radiation and Polymers. N.Y.: Pergamon, 1960. 556 p.
- Hiraoka H. // IBM J. Res. Devel. 1977. V. 21. P. 121. https://doi.org/10.1147/rd.212.0121
- De Carlo F., Mancini D.C., Lai B., Song J.J. // Microsyst. Technol. 1998. V. 4. P. 86. https://doi.org/10.1007/s005420050102
- Nazmov V.P., Mezentseva L.A., Pindyurin V.F., Petrov V.V., Yakovleva E.N. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2000. V. 448. P. 493. https://doi.org/10.1016/S0168-9002(00)00238-2
- Pantenburg F.J., Achenbach S., Mohr J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1998. V. 16. № 6. P. 3547. https://doi.org/10.1116/1.590494
- Moreau W.M. Semiconductor Lithography: Principles, Practices, and Materials. N.Y.: Plenum Press, 1988. 986 p.
- Yan M., Choi S., Subramanian K.R.V., Adesida I. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2008. V. 26. № 6. P. 2306. https://doi.org/1.0.1116/1.3002562
- Khoury M., Ferry D.K. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. V. 14. № 1. P. 75. https://doi.org/10.1116/1.588437
- Nagai H. // J. Appl. Pol. Sci. 1963. V. 7. № 5. P. 1697 https://doi.org/10.1002/app.1963.070070512
- Willis H.A., Zichy V.J.I., Hendra P.J. // Polymer. 1969. V. 10. P.737. https://doi.org/10.1016/0032-3861(69)90101-3
- Patent No. 3039110 (DE). Verfahren fur Die Spannungsfreie Entwicklung von Bestrahlten Polymethylmethacrylatschichten / Siemens AG, Munich. Glasha- user W., Ghica G.-V. 16.10.1980.
- Goldenberg B.G., Lemzyakov A.G., Nazmov V.P., Pindyurin V.F. // Phys. Procedia. 2016. V. 84. P. 205. https://doi.org/10.1016/j.phpro.2016.11.036
- Piminov P.A., Baranov G.N., Bogomyagkov A.V., Berkaev D.E., Borin V.M., Dorokhov V.L., Karnaev S.E., Kiselev V.A., Levichev E.B., Meshkov O.I., Mishnev S.I., Nikitin S.A., Nikolaev I.B., Sinyatkin S.V., Vobly P.D., Zolotarev K.V., Zhuravlev A.N. // Phys. Procedia. 2016. V. 84. P. 19. https://doi.org/10.1016/j.phpro.2016.11.005
- Nazmov V., Goldenberg B., Vasiliev A., Asadchikov V. // J. Micromech. Microeng. 2021. V. 31. P. 055011. https://doi.org/10.1088/1361-6439/abf331
- El-Kholi A., Mohr J., Nazmov V. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2000. V. 448. № 1–2. P. 497. https://doi.org/10.1016/S0168-9002(00)00239-4
- Kunka D., Mohr J., Nazmov V., Meiser J., Meyer P., Amberger M., Koch F., Schulz J., Walter M., Duttenhofer T., Voigt A., Ahrens G., Grützner G. // Microsyst. Technol. 2014. V. 20. № 10–11. P. 2023. https://doi.org/10.1007/s00542-013-2055-x
- McNamara S. // J. Micromech. Microeng. 2011. V. 21. P. 015002. https://doi.org/10.1088/0960-1317/21/1/015002
Дополнительные файлы
 
				
			 
						 
						 
						 
					 
						 
									

 
  
  
  Отправить статью по E-mail
			Отправить статью по E-mail 





